IRFHM8363TR2PBF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRFHM8363TR2PBF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ObsoletePackaging: Cut Tape (CT)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11ARds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10VPower - Max: 2.7WOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 8-PowerVDFNSupplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Наличие и цены на IRFHM8363TR2PBF на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 07:06 | парт-номерIRFHM8363TR2PBF | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!