IRFB59N10DPBF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRFB59N10DPBF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 35.4A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 25VPower Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-220ABPackage / Case: TO-220-3
Наличие и цены на IRFB59N10DPBF на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 12.08.2025 01:34 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxxx | брендInfineon Technologies | доступноx шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!