IRFB42N20D
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRFB42N20D
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ObsoletePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 26A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10VVgs (Max): ±30VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430pF @ 25VPower Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-220ABPackage / Case: TO-220-3
Наличие и цены на IRFB42N20D на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 21:13 | парт-номерIRFB42N20D | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 5 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!