IRF6641TR1PBF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRF6641TR1PBF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 59.9 mOhm @ 5.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290pF @ 25VPower Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: DIRECTFET™ MZPackage / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Наличие и цены на IRF6641TR1PBF на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 07:04 | парт-номерIRF6641TR1PBF | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!