IRF6608
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRF6608
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST Contains lead
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 55A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5VVgs (Max): ±12VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 15VPower Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: DIRECTFET™ STPackage / Case: DirectFET™ Isometric ST
Наличие и цены на IRF6608 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 06:44 | парт-номерIRF6608 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!