IRF630NS
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRF630NS
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541.29.0095
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ObsoletePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.4A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 25VPower Dissipation (Max): 82W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D2PAKPackage / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Наличие и цены на IRF630NS на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 18:29 | парт-номерIRF630NS | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!