IRF5210PBF
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IRF5210PBF
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
-
Техническая документация
Datasheet 1
Datasheet 2
Datasheet 3
Datasheet 4
Datasheet 5
Datasheet 6
-
Описание
P-Channel 100V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541290000
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: HEXFET®Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: P-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 24A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 25VPower Dissipation (Max): 200W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-220ABPackage / Case: TO-220-3
Наличие и цены на IRF5210PBF на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 06:54 | парт-номерIRF5210PBF | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!