IPT65R195G7XTMA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IPT65R195G7XTMA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 650V 14A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
-
Ограничения
Деталь снята с производства.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: CoolMOS™ C7Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 650VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 4.8A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996pF @ 400VPower Dissipation (Max): 97W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: PG-HSOF-8-2Package / Case: 8-PowerSFN
Наличие и цены на IPT65R195G7XTMA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 01:33 | парт-номерIPT65R195G7XTMA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!