IPG20N10S4L22AATMA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IPG20N10S4L22AATMA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — Матрицы
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Series: OptiMOS™Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: 2 N-Channel (Dual)FET Feature: Logic Level GateDrain to Source Voltage (Vdss): 100VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20ARds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1755pF @ 25VPower - Max: 60WOperating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface Mount, Wettable FlankPackage / Case: 8-PowerVDFNSupplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Наличие и цены на IPG20N10S4L22AATMA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 00:28 | парт-номерIPG20N10S4L22AATMA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!