IPD60R2K1CEBTMA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IPD60R2K1CEBTMA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541.29.0095
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Series: CoolMOS™ CEPart Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 600VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 760mA, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 100VPower Dissipation (Max): 22W (Tc)Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: TO-252-3Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Наличие и цены на IPD60R2K1CEBTMA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 20:41 | парт-номерIPD60R2K1CEBTMA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!