IPD075N03LGATMA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IPD075N03LGATMA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
MOSFET
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: OptiMOS™Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 30VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10VRds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10VVgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10VVgs (Max): ±20VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15VPower Dissipation (Max): 47W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: PG-TO252-3Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Наличие и цены на IPD075N03LGATMA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 20:31 | парт-номерIPD075N03LGATMA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!