FF225R12ME4BOSA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FF225R12ME4BOSA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1050000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActiveIGBT Type: Trench Field StopConfiguration: 2 IndependentVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 320APower - Max: 1050WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225ACurrent - Collector Cutoff (Max): 3mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 13nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: YesOperating Temperature: -40°C ~ 150°CMounting Type: Chassis MountPackage / Case: ModuleSupplier Device Package: Module
Наличие и цены на FF225R12ME4BOSA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 02:36 | парт-номерFF225R12ME4BOSA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!