FF1200R12KE3NOSA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
FF1200R12KE3NOSA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActiveConfiguration: 2 IndependentVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VPower - Max: 5000WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200ACurrent - Collector Cutoff (Max): 5mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 86nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: -40°C ~ 125°CMounting Type: Chassis MountPackage / Case: ModuleSupplier Device Package: Module
Наличие и цены на FF1200R12KE3NOSA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 23:20 | парт-номерFF1200R12KE3NOSA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!