BSM75GB120DN2HOSA1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BSM75GB120DN2HOSA1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 625W 7-Pin 34MM-1 Tray
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: Not For New DesignsConfiguration: Half BridgeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 105APower - Max: 625WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75ACurrent - Collector Cutoff (Max): 1.5mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: ModuleSupplier Device Package: Module
Наличие и цены на BSM75GB120DN2HOSA1 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 09:50 | парт-номерBSM75GB120DN2HOSA1 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 5 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!