BFN19E6327
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BFN19E6327
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 200mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10VPower - Max: 1WFrequency - Transition: 100MHzOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-243AASupplier Device Package: PG-SOT89
Наличие и цены на BFN19E6327 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 08:13 | парт-номерBFN19E6327 | брендInfineon Technologies | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!