MII150-12A4
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
MII150-12A4
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActiveIGBT Type: NPTConfiguration: Half BridgeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 180APower - Max: 760WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100ACurrent - Collector Cutoff (Max): 7.5mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: Y3-DCBSupplier Device Package: Y3-DCB
Наличие и цены на MII150-12A4 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 20:45 | парт-номерMII150-12A4 | брендIXYS | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!