IXGH2N250
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IXGH2N250
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500VCurrent - Collector (Ic) (Max): 5.5ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 13.5AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2APower - Max: 32WInput Type: StandardGate Charge: 10.5nCOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-247-3Supplier Device Package: TO-247AD (IXGH)
Наличие и цены на IXGH2N250 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 16:14 | парт-номерIXGH2N250 | брендIXYS | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!