IXDN75N120
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IXDN75N120
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Модули
- Техническая документация
-
Описание
IGBT Module NPT Single 1200V 150A 660W Chassis Mount SOT-227B Lead Free
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActiveIGBT Type: NPTConfiguration: SingleVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 150APower - Max: 660WVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75ACurrent - Collector Cutoff (Max): 4mAInput Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25VInput: StandardNTC Thermistor: NoOperating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Chassis MountPackage / Case: SOT-227-4, miniBLOCSupplier Device Package: SOT-227B
Наличие и цены на IXDN75N120 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 14:20 | парт-номерIXDN75N120 | брендIXYS | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!