IXDH30N120D1
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IXDH30N120D1
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - IGBT - Single
- Техническая документация
-
Описание
IGBTs 30 Amps 1200V
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TubeIGBT Type: NPTVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200VCurrent - Collector (Ic) (Max): 60ACurrent - Collector Pulsed (Icm): 76AVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 30APower - Max: 300WSwitching Energy: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)Input Type: StandardGate Charge: 120nCTest Condition: 600V, 30A, 47 Ohm, 15VReverse Recovery Time (trr): 40nsOperating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-3P-3 Full PackSupplier Device Package: TO-247AD (IXDH)
Наличие и цены на IXDH30N120D1 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 16:31 | парт-номерIXDH30N120D1 | брендIXYS | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!