IS61NLP51236-200B3I
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
IS61NLP51236-200B3I
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - SynchronousMemory Size: 18Mb (512K x 36)Clock Frequency: 200MHzAccess Time: 3.1nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3.135V ~ 3.465VOperating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 165-TBGASupplier Device Package: 165-TFBGA (13x15)
Наличие и цены на IS61NLP51236-200B3I на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 14:53 | парт-номерIS61NLP51236-200B3I | брендISSI Integrated Silicon Solution Inc | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!