71V30L35TFGI
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
71V30L35TFGI
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, AsynchronousMemory Size: 8Kb (1K x 8)Write Cycle Time - Word, Page: 35nsAccess Time: 35nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3V ~ 3.6VOperating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 64-LQFPSupplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Наличие и цены на 71V30L35TFGI на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 23:04 | парт-номер71V30L35TFGI | брендIDT Integrated Device Technology | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!