70V657S12DRI
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
70V657S12DRI
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, AsynchronousMemory Size: 1.125Mb (32K x 36)Write Cycle Time - Word, Page: 12nsAccess Time: 12nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3.15V ~ 3.45VOperating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 208-BFQFPSupplier Device Package: 208-PQFP (28x28)
Наличие и цены на 70V657S12DRI на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 16:02 | парт-номер70V657S12DRI | брендIDT Integrated Device Technology | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!