70V657S12DRGI
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
70V657S12DRGI
- Категория
-
Техническая документация
Datasheet 1
Datasheet 2
Datasheet 3
Datasheet 4
Datasheet 5
Datasheet 6
Datasheet 7
Datasheet 8
-
Описание
SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28) Lead Free
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
3A991.b.2.a
-
HS Код
8542.32.0041
-
Свинец
присутствует
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, AsynchronousMemory Size: 1.125Mb (32K x 36)Write Cycle Time - Word, Page: 12nsAccess Time: 12nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3.15V ~ 3.45VOperating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 208-BFQFPSupplier Device Package: 208-PQFP (28x28)
Наличие и цены на 70V657S12DRGI на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 01:07 | парт-номер70V657S12DRGI | брендIDT Integrated Device Technology | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!