70V09L20PFGI8
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
70V09L20PFGI8
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Memory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, AsynchronousMemory Size: 1Mb (128K x 8)Write Cycle Time - Word, Page: 20nsAccess Time: 20nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3V ~ 3.6VOperating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 100-LQFPSupplier Device Package: 100-TQFP
Наличие и цены на 70V09L20PFGI8 на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 14.08.2025 14:38 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxxx | брендIDT Integrated Device Technology | доступноx шт. под заказ мин: 750 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!