70T3339S200BCG
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
70T3339S200BCG
- Категория
-
Техническая документация
Datasheet 1
Datasheet 2
Datasheet 3
Datasheet 4
Datasheet 5
Datasheet 6
-
Описание
SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 200MHz 3.4ns 256-CABGA (17x17) Lead Free
-
Ограничения
Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
3A991.b.2.a
-
HS Код
8542.32.0041
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, SynchronousMemory Size: 9Mb (512K x 18)Clock Frequency: 200MHzAccess Time: 3.4nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 2.4V ~ 2.6VOperating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 256-LBGASupplier Device Package: 256-CABGA (17x17)
Наличие и цены на 70T3339S200BCG на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 03:26 | парт-номер70T3339S200BCG | брендIDT Integrated Device Technology | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!