70V3579S4DRG
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
70V3579S4DRG
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: PreliminaryPackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: SRAMTechnology: SRAM - Dual Port, SynchronousMemory Size: 1.125Mb (32K x 36)Access Time: 4.2nsMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 3.15V ~ 3.45VOperating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 208-BFQFPSupplier Device Package: 208-PQFP (28x28)
Наличие и цены на 70V3579S4DRG на стоках в России, США, Европы и Азии
Если вы когда-либо уже обращались в Т-Компонент, но не проходили регистрацию на сайте или потеряли данные для входа на сайт, вы можете воспользоваться входом по ИНН вашей компании и мы пришлём вам на почту ссылку для входа на сайт.
Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 11.08.2025 15:50 для просмотра необходимо авторизоваться | парт-номерxxxxxxxxxxxx | брендIDT, Integrated Device Technology Inc | доступноx шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!