EPC8002
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
EPC8002
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: eGaN®Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)FET Type: N-ChannelTechnology: GaNFET (Gallium Nitride)Drain to Source Voltage (Vdss): 65VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5VRds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 500mA, 5VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µAVgs (Max): +6V, -4VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 32.5VOperating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: DiePackage / Case: Die
Наличие и цены на EPC8002 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 26.06.2025 02:17 | парт-номерEPC8002 | брендEpcos | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!