ZTX757STOB
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
ZTX757STOB
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: PNPCurrent - Collector (Ic) (Max): 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mACurrent - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5VPower - Max: 1WFrequency - Transition: 30MHzOperating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: E-Line-3, Formed LeadsSupplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Наличие и цены на ZTX757STOB на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 12:27 | парт-номерZTX757STOB | брендDiodes Incorporated | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!