BS107P
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
BS107P
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BulkFET Type: N-ChannelTechnology: MOSFET (Metal Oxide)Drain to Source Voltage (Vdss): 200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5VRds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5VVgs (Max): ±20VPower Dissipation (Max): 500mW (Ta)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-92-3Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Наличие и цены на BS107P на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 09:32 | парт-номерBS107P | брендDiodes Incorporated | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!