CGH55030F2
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
CGH55030F2
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — RF
- Техническая документация
-
Описание
Trans FET N-CH 84V 3A GaN HEMT 3-Pin Case 440166
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Series: GaNPart Status: ActivePackaging: TrayTransistor Type: HEMTFrequency: 4.5GHz ~ 6GHzGain: 11dBVoltage - Test: 28VCurrent - Test: 250mAPower - Output: 30WVoltage - Rated: 84VPackage / Case: 440166Supplier Device Package: 440166
Наличие и цены на CGH55030F2 на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 17:38 | парт-номерCGH55030F2 | брендCree | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!