C3M0120100K
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
C3M0120100K
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
-
Техническая документация
Datasheet 1
Datasheet 2
Datasheet 3
Datasheet 4
Datasheet 5
Datasheet 6
-
Описание
N-Channel 1000V 22A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-247-4L Lead Free
-
Ограничения
Деталь снята с производства.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: C3M™Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: SiCFET (Silicon Carbide)Drain to Source Voltage (Vdss): 1000VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15VRds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15VVgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5nC @ 15VVgs (Max): ±15VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 600VPower Dissipation (Max): 83W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-247-4LPackage / Case: TO-247-4
Наличие и цены на C3M0120100K на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 04:18 | парт-номерC3M0120100K | брендCree | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!