C3M0065100J
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
C3M0065100J
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES
-
Ограничения
Деталь снята с производства.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: C3M™Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: SiCFET (Silicon Carbide)Drain to Source Voltage (Vdss): 1000VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15VRds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15VVgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 15VVgs (Max): +15V, -4VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 600VPower Dissipation (Max): 113.5W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountSupplier Device Package: D2PAK-7Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Наличие и цены на C3M0065100J на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 07:56 | парт-номерC3M0065100J | брендCree | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!