C2M0160120D
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
C2M0160120D
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: Z-FET™Part Status: ActivePackaging: TubeFET Type: N-ChannelTechnology: SiCFET (Silicon Carbide)Drain to Source Voltage (Vdss): 1200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20VRds On (Max) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20VVgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6nC @ 20VVgs (Max): +25V, -10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527pF @ 800VPower Dissipation (Max): 125W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-247-3Package / Case: TO-247-3
Наличие и цены на C2M0160120D на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 16:28 | парт-номерC2M0160120D | брендCree | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!