C2M0080120D
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
C2M0080120D
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
85412900
-
Свинец
нет данных
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Series: C2M™Part Status: ActivePackaging: BulkFET Type: N-ChannelTechnology: SiCFET (Silicon Carbide)Drain to Source Voltage (Vdss): 1200VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20VRds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20VVgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mAGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 5VVgs (Max): +25V, -10VInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 1000VPower Dissipation (Max): 192W (Tc)Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)Mounting Type: Through HoleSupplier Device Package: TO-247-3Package / Case: TO-247-3
Наличие и цены на C2M0080120D на стоках в России, США, Европы и Азии
Для регистрации потребуются только имя, почта и телефон. Вход и регистрация

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 27.06.2025 04:06 | парт-номерC2M0080120D | брендCree | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!