2N1711
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
2N1711
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Tray
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: BoxTransistor Type: NPNCurrent - Collector (Ic) (Max): 500mAVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50VVce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mACurrent - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10VPower - Max: 800mWFrequency - Transition: 70MHzOperating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)Mounting Type: Through HolePackage / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal CanSupplier Device Package: TO-39
Наличие и цены на 2N1711 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 01:48 | парт-номер2N1711 | брендCentral Semiconductor | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!