1N5256BTR
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
1N5256BTR
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Диоды - стабилитроны - одинарные
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: Tape & Reel (TR)Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30VTolerance: ±5%Power - Max: 500mWImpedance (Max) (Zzt): 49 OhmsCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 23VVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mAOperating Temperature: -65°C ~ 200°CMounting Type: Through HolePackage / Case: DO-204AH, DO-35, AxialSupplier Device Package: DO-35
Наличие и цены на 1N5256BTR на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 23:49 | парт-номер1N5256BTR | брендCentral Semiconductor Corp | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!