NE85633-R25-A
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NE85633-R25-A
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF
- Техническая документация
-
Описание
нет данных
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: BulkTransistor Type: NPNVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12VFrequency - Transition: 7GHzNoise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHzGain: 11.5dBPower - Max: 200mWDC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10VCurrent - Collector (Ic) (Max): 100mAOperating Temperature: 150°C (TJ)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3Supplier Device Package: SOT-23
Наличие и цены на NE85633-R25-A на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 05:34 | парт-номерNE85633-R25-A | брендCEL (California Eastern Laboratories) | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!