NE3210S01-T1B
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
NE3210S01-T1B
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — RF
- Техническая документация
-
Описание
RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB SMD Lead Free
-
Ограничения
Деталь снята с производства. Есть экспортные ограничения на вывоз из США.
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541210000
-
Свинец
присутствует
- Фото стока
- Фото стока
- Фото стока
-
Параметры
Part Status: ObsoletePackaging: Tape & Reel (TR)Transistor Type: HFETFrequency: 12GHzGain: 13.5dBVoltage - Test: 2VCurrent Rating (Amps): 15mANoise Figure: 0.35dBCurrent - Test: 10mAVoltage - Rated: 4VPackage / Case: 4-SMDSupplier Device Package: SMD
Наличие и цены на NE3210S01-T1B на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 18:12 | парт-номерNE3210S01-T1B | брендCEL (California Eastern Laboratories) | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!