CE3512K2
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
CE3512K2
-
Категория
Дискретные полупроводниковые изделия〉Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — RF
- Техническая документация
-
Описание
RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X Lead Free
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
EAR99
-
HS Код
8541210000
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: StripTransistor Type: pHEMT FETFrequency: 12GHzGain: 13.7dBVoltage - Test: 2VCurrent Rating (Amps): 15mANoise Figure: 0.5dBCurrent - Test: 10mAPower - Output: 125mWVoltage - Rated: 4VPackage / Case: 4-Micro-XSupplier Device Package: 4-Micro-X
Наличие и цены на CE3512K2 на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 11:04 | парт-номерCE3512K2 | брендCEL (California Eastern Laboratories) | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!