AS4C16M16D1-5BCN
- Производитель
-
Тип
Радиоэлектронный компонент
-
Полное наименование
AS4C16M16D1-5BCN
- Категория
- Техническая документация
-
Описание
SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13) Lead Free
-
Ограничения
нет данных
-
Сертификация
нет данных
-
ECCN
нет данных
-
HS Код
нет данных
-
Свинец
нет данных
-
Параметры
Part Status: ActivePackaging: TrayMemory Type: VolatileMemory Format: DRAMTechnology: SDRAM - DDRMemory Size: 256Mb (16M x 16)Clock Frequency: 200MHzWrite Cycle Time - Word, Page: 15nsAccess Time: 700psMemory Interface: ParallelVoltage - Supply: 2.3V ~ 2.7VOperating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)Mounting Type: Surface MountPackage / Case: 60-TFBGASupplier Device Package: 60-TFBGA (8x13)
Наличие и цены на AS4C16M16D1-5BCN на стоках в России, США, Европы и Азии

поставщик | парт-номер | бренд | доступно | цены отгрузка в РФ | срок поставки отгрузка в РФ | цены отгрузка в Китае | срок поставки отгрузка в Китае | купить |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
поставщикКвалифицированный поставщик Т-Компонент СП![]() 25.06.2025 01:02 | парт-номерAS4C16M16D1-5BCN | брендALLIANCE | доступно0 шт. под заказ мин: 1 уп-ка: - | цены отгрузка в РФцена по запросу | срок поставки отгрузка в РФ21-28 дней | цены отгрузка в Китаецена по запросу | срок поставки отгрузка в Китае4-6 дней | купить |
мы поручим менеджеру осуществить поиск по всем доступным источникам!